W. Zhu et al. han fabricat pols ultrafines d'alta puresa a 1200 ~ 1400 graus mitjançant deposició química de vapor utilitzant silà i acetilè com a gasos de reacció i hidrogen com a gas portador. Utilitzant hexametilsilà com a font de reacció i hidrogen i argó com a gasos portadors, Anaguta et al. També va fabricar pols de silici d'alta puresa ultrafine per deposició química de vapor a 1050 ~ 1250 graus.
Els membres d'aquests dos grups de recerca van utilitzar la deposició química de vapor per fabricar pols de silici d'alta puresa mitjançant fonts de gas orgànic. Tanmateix, les pols ultrafines fabricades eren nanoescala. Tot i que la puresa és alta, no és fàcil de recollir i no és adequat per a la fabricació de pols de silici d'alta puresa en grans quantitats, cosa que no afavoreix el desenvolupament de la industrialització en una fase posterior.
Mètode de fabricació amb transport automàtic
Aquest mètode pren pols de silici i negre de carboni com a matèries primeres, afegeix altres activadors i reacciona directament a 1000 ~ 1150 graus per generar pols. La introducció del catalitzador afectarà inevitablement la puresa i la qualitat de la pols de silici d'alta puresa fabricada.
Per tant, molts investigadors han proposat un mètode de síntesi d'autopropagació millorat sobre aquesta base. La millora principal és evitar la introducció d'un activador i assegurar una reacció de fabricació contínua i eficaç augmentant la temperatura de fabricació i el subministrament continu de calor. Ja l'any 1999, al Japó, es van fabricar pols amb mida de partícules d'10 ~ 500 μm per mètode de combustió en el rang de 1700 ~ 2000 graus utilitzant ortosilicat d'etil com a font de silici i resina fenòlica com a font de carboni, i la fracció massiva del contingut d'impureses era inferior a 0,5 × 10-6.
Tanmateix, els reactius d'aquest mètode utilitzen materials orgànics, de manera que el cost de la matèria primera és elevat, cosa que no afavoreix la producció a gran escala de pols de silici d'alta puresa. Investigadors de l'Institut de Recerca del Silici de Xangai de l'Acadèmia Xinesa de Ciències van fabricar a alta temperatura en una atmosfera d'argó amb fraccions de massa del 99,9% i 99,999%, respectivament.
Els investigadors van utilitzar carbó activat (mida de partícula 20 ~ 100 μm) i grafit en escates (mida de partícula 5 ~ 25 μm) com a font de carboni (fracció de massa 99,9%) i silici d'alta puresa com a font de silici (mida de partícula 10 ~ 270 μm). , fracció de massa 99,999%), respectivament.
La pols de silici d'alta puresa es va preparar en un forn de sinterització d'alta temperatura al buit a 1900 graus sota atmosfera d'argó. Els experiments van demostrar que la puresa de la fabricació d'alt buit era superior a la de la pols de silici d'alta puresa fabricada amb gas portador. A més, es van cultivar monocristalls amb pols de silici d'alta puresa fabricada a buit elevat. Els resultats mostren que els monocristalls cultivats són d'alta puresa i tenen excel·lents propietats semiaïllants, que compleixen els requisits dels dispositius relacionats per a les propietats elèctriques dels substrats semiaïllants. Perspectives per a la tecnologia de fabricació de pols d'alta puresa
La fabricació d'autopropagació millorada és un mètode comú per fer créixer cristalls únics al laboratori a causa del seu baix cost de la matèria primera i la seva senzillesa. Es va trobar que diferents paràmetres del procés de fabricació tenen un efecte sobre els productes de fabricació.
