El seu mètode de síntesi utilitza principalment silici elemental i nitrogen per a una reacció química en condicions de 1.300 graus centígrads a 1.400 graus centígrads, i després obté nitrur de silici. També es pot sintetitzar mitjançant diimina, o es pot utilitzar carboni. La reacció de reducció tèrmica es sintetitza sota nitrogen entre 1.400 graus centígrads i 1.450 graus centígrads. La reacció de reducció carbotèrmica és una manera senzilla i un mitjà rendible de fabricar pols de nitrur de silici a la indústria.
Si voleu dipositar nitrur de silici en un semiconductor, podeu utilitzar la tecnologia de deposició de vapor químic a baixa pressió a una temperatura relativament alta mitjançant un forn de tub vertical o horitzontal, o podeu utilitzar la tecnologia de deposició de vapor químic millorada amb plasma a una temperatura relativament alta. . Realitzar sota buit baix. Com que els paràmetres de la cèl·lula unitat del nitrur de silici són diferents dels del silici elemental, la pel·lícula de nitrur de silici generada generarà tensió o tensió segons el mètode de deposició. Especialment quan s'utilitza la tecnologia de deposició de vapor química millorada amb plasma, es pot ajustar mitjançant els paràmetres de deposició, així, per reduir la tensió.
El nitrur de silici granular és difícil de processar i no es pot escalfar per sobre del punt de fusió, ja que si se supera el punt de fusió, el nitrur de silici es descompondrà en silici i nitrogen, per la qual cosa cal prestar atenció a això durant el processament.
